HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HMBT1815
NPN EPITAXIAL PLANAR
TRANSISTOR
Spec.
No.
: HE6805 Issued Date : 1992.
08.
25 Revised Date : 2004.
08.
13 Page No.
: 1/4
Description
The HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification.
Absolute Maximum Ratings
SOT-23
• Maximum Temperatures Storage Temperature.
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-55 ~ +150 °C Junction Temperature.
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150 °C Maximum
• Maximum Power Dissipation Total Power Dissipation (TA=25°C) .
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