| Part Number | KSP93 |
| Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
| Title | High Voltage Transistor |
| Description | KSP92/93 KSP92/93 High Voltage Transistor 1 TO-92 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings T... |
| Features |
VCE= -10V, IC= -30mA IC= -20mA, IB= -2mA IC= -20mA, IB= -2mA VCE= -20V, IC= -10mA, f=100MHz VCB= -20V, IE=0 f=1MHz 50 6 8 25 40 25 -0.50 -0.90 V V MHz pF pF -0.25 -0.25 -0.10 µA µA µA Test Condition IC= -100µA, IE=0 Min. -300 -200 IC= -1mA, IB=0 -300 -200 IE= -100µA, IC=0 -5 V V V Max. Units V V
BV...
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| File Size | 63.80KB |
| Datasheet |
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KSP92 : KSP92/93 KSP92/93 High Voltage Transistor 1 TO-92 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted Symbol VCBO Parameter Collector-Base Voltage : KSP92 : KSP93 VCEO Collector-Emitter Voltage : KSP92 : KSP93 VEBO IC PC PC TJ TSTG Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation (Ta=25°C) Derate above 25°C Collector Power Dissipation (TC=25°C) Derate above 25°C Junction Temperature Storage Temperature -300 -200 -5 -500 625 5 1.5 12 150 -55 ~ 150 V V V mA mW mW/°C W mW/°C °C °C -300 -200 V V Value Units Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted Symbol BVCBO Parameter Collector-Base Br.
KSP92 : SMD Type P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor KSP92 SOT-223 Transistors IC Unit: mm +0.2 3.50-0.2 0.1max +0.05 0.90-0.05 Features Low threshold voltage VGS(th) Direct interface to C-MOS, TTL,etc. High-speed switching No secondary breakdown. www.DataSheet4U.com 1 6.50 +0.2 -0.2 +0.1 3.00-0.1 +0.2 0.90-0.2 +0.3 7.00-0.3 4 2 2.9 4.6 3 +0.1 0.70-0.1 1 gate 2,4 drain 3 source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter drain-source voltage gate-source voltage (open drain) DC drain current peak drain current total power dissipation (up to Tamb = 25 *) storage temperature range junction temperature from junction to ambient* Symbol -VDS VGSO -ID -IDM Ptot Tstg Tj Rth j-a .
KSP92 : ピアノ K シリーズ な リフロー 1. ナイフエッジ ･ ハイプレッシャーによりして します。 2. は 200kg/mm2 あるのでによるは しません。 3. とは IC とくじですから、が ます。 DC5V 10mA 50m Ω AC300V 1 100M Ω 1000 -30 ～ +85℃ -30 ～ +85℃ 7.9N MAX 2 の K シリーズ S P PA P ピアノ タ イ プ ピアノ タ イ プ（げ） OFF タ イ プ 8 22 32 42 52 62 72 82 92 102 2 2 3 4 5 6 7 8 9 10 — S S フロー ※・カスタムについてはおせください。 ピアノ K-1 -30Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/ ピアノ K シリーズ フロー ノ カ ケ バ ー ブ ー ス ナイ ロ ン PPS PPS メッキ メッキ Ｍ プ レ ート Ｆ プ レ ート ――― KSP 22 KSPA 22 KSP 32 KSPA 32 KSP 42 KSPA 42 KSP 52 KSPA 52 KSP 62 KSPA 62 KSP 72 KSPA 72 KSP 82 KSPA 82 KSP 92 KSPA 92 KSP 102 KSPA 102 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 L（mm） 4.5 7.0 9.
KSP94 : KSP94 KSP94 High Voltage Transistor • High Collector-Emitter Voltage: VCEO= -400V • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complement to KSP44 1 TO-92 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ TSTG Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value -400 -400 -6 -300 625 150 -55~150 Units V V V mA mW °C °C Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted Symbol BVCBO BVCES BVEBO ICBO ICES IEBO hFE1 hFE2 hFE3 hFE4 VCE (sat)1 VCE (sat)2 VBE (sat) C.