MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by TIP33B/D
Complementary Silicon High-Power
Transistors
.
.
.
for general–purpose power amplifier and switching applications.
• • • • 10 A Collector Current Low Leakage Current — ICEO = 0.
7 mA @ 60 V Excellent dc Gain — hFE = 40 Typ @ 3.
0 A High Current Gain Bandwidth Product — hfe = 3.
0 min @ IC = 0.
5 A, f = 1.
0 MHz
TIP33B* TIP33C
PNP TIP34B* TIP34C
*Motorola Preferred Device
NPN
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ...