GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
SFH 495 P SFH 4552
29 27
5.
0 4.
2
Anode
2.
54 mm spacing
5.
9 5.
5
0.
6 0.
4 0.
8 0.
4
Area not flat
Chip position
GEX06971
Area not flat 0.
6 0.
4 6.
9 6.
1 5.
7 5.
5
2.
54 mm spacing
0.
8 0.
4
5.
9 5.
5
1.
8 1.
2 29.
5 27.
5 Cathode (Diode) Collector (
Transistor)
ø5.
1 ø4.
8
4.
0 3.
4 Chip position
0.
6 0.
4
GEX06630
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Stimulierter Emitter mit sehr hohem q q q q
Features
q Stimulated emitter with high efficiency q Laser diode in diffuse package q Suitable esp.
for pulse operation at high
Wirkungsgrad Laserdiode in diffusem Gehäuse Besonders geei...