GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 0.
6 0.
4 2.
54 mm spacing 0.
8 0.
4 9.
0 8.
2 7.
8 7.
5 ø5.
1 ø4.
8 5.
9 5.
5 Anode 1.
8 1.
2 29.
5 27.
5 5.
7 5.
1 Chip position 0.
6 0.
4 Approx.
weight 0.
5 g GEX06626 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Features q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q Spectral match with silicon photodetectors Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, vid...

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