HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec.
No.
: HE9001 Issued Date : 1996.
02.
28 Revised Date : 2002.
03.
04 Page No.
: 1/3
HI31C
NPN EPITAXIAL PLANAR
TRANSISTOR
Description
The HI31C is designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)
TO-251
• Maximum Temperatures Storage Temperature .
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-55 ~ +150 °C Junction Temperature .
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+150 °C • Maximum Power Dissipation Total Power Dissipation (Tc=25°C) .
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