GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters
SFH 415 SFH 416
Cathode
com
29 27
9.
0 8.
2
spacing 2.
54 mm
0.
4 0.
8
1.
8 1.
2
7.
8 7.
5
5.
9 5.
5
ø4.
8 ø5.
1
Area not flat Chip position
4.
8 4.
2
0.
6 0.
4
GEO06645
Area not flat 0.
6 0.
4 6.
9 6.
1 5.
7 5.
5
2.
54 mm spacing
0.
8 0.
4
5.
9 5.
5
1.
8 1.
2 29.
5 27.
5 Cathode (Diode) Collector (
Transistor)
ø5.
1 ø4.
8
4.
0 3.
4 Chip position
0.
6 0.
4
fex06630
GEX06630
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt q q q q q
Features
q GaAs infrared emitting diodes, fabricated in q q q q q
im Schmelzepitaxieverfahren Gute Linearität (Ie...