GT10G101 トランジスタ シリコンチャネル IGBT GT10G101 ○ ストロボ いがなエンハンスメントタイプです。 がい。 ゲートがい。 : VCE (sat) = 8V () (IC = 130A) : VGE = 20V () (IC = 130A) : mm (Ta = 25°C) コレクタ・エミッタ ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ コ レ ク タ DC 1ms コ レ ク タ け Ta = 25°C Tc = 25°C ト ル ク VCES VGES IC ICP PC PC Tj Tstg ― 400 ±25 10 A 130 2.
0 W 30 150 －55～150 0.
6 °C °C N・m V V JEDEC EIAJ ― ― 2-10R1C (Ta = 25°C) ゲ コ ー レ ク ト タ し れ ゃ IGES ICES VGE (OFF) VCE (sat) Cies tr ton tf toff Rth (j-c) VGE = ±25V, VCE = 0 VCE = 400V, VGE = 0 IC = 1mA, VCE = 5V IC = 130A, VGE = 20V (パルス) VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz ― ― 4 ― ― ― ― ― ― ― ― ― 5 5 1350 0.
1 0.
15 4.
0 4.
5 ― ±100 10 7 8 ― 0.
5 0.
5 μs 6.
0 7.
0 4.
16 °C / W nA μA V V pF ...

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