|
Part Number
|
KT814 |
|
Manufacturer
|
INTEGRAL |
|
Description
|
PNP Transistor |
|
Published
|
Mar 16, 2015 |
|
Detailed Description
|
КТ814
p-n-p кремниевый биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Пред...
|
|
Datasheet
|
KT814
|
Overview
КТ814
p-n-p кремниевый биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы.
Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
• Прототип КТ814Б - BD136 • Прототип КТ814В - BD138 • Прототип КТ814Г - BD140
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 125°C • Комплиментарная пара – КТ815
Обозначение технических условий
• аАО.
336.
184 ТУ / 02
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ814А, Б, В, Г • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ814А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
Вывод (корпус КТ-27)
№1 №2 №3
Назначение (корпу...
Similar Datasheet