Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Diode Gleichrichter/ diode rectifier
Periodische Rückw.
Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
Tvj =25°C
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip
TC =80°C
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t - value
TC =80°C
tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms,
Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter/
transistor inverter
Kollek...