|
Part Number
|
KT863BS |
|
Manufacturer
|
SIT |
|
Description
|
Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR |
|
Published
|
Nov 22, 2015 |
|
Detailed Description
|
НТЦ СИТ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК
КТ863/БС(x)
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАК...
|
|
Datasheet
|
KT863BS
|
Overview
НТЦ СИТ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.
РОССИЯ, БРЯНСК
КТ863/БС(x)
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР
ОСОБЕННОСТИ_________
• Малая зависимость коэффициента усиления h21э от температуры
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора до 12 А, импульсный – до 15 А.
• Максимально допустимое напряжения коллектор-эмиттер до 160 В (при Rэб=1кОм)
• Температура окружающей среды минус 60°С .
.
.
плюс 130°С
• Корпус ТО-220, ТО-263
Корпус ТО-220 (КТ-28) Типономинал КТ863/БС
Корпус ТО-263 Типономинал КТ863/БС1 1 – База 2 – Коллектор 3 – Эмиттер
________________ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Наименование параметра,
единица измерения
Обратный ток...
Similar Datasheet