4515

N   -channel Enhancement Mode MOSFET     DESCRIPTION    The   uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.      GENERAL FEATURES   RDS(ON)   Ω @ VGS=4.5V    RDS(ON)   Ω @ VGS=10V   High Power and current handing cap...