N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      BVDSS  RDSON (MAX.
)  N‐CH  40V  28mΩ  P‐CH  ‐40V  44mΩ  D1 G1 D2 G2 ID  7A  ‐6A  S1 S2     Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temper...

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