Part Number
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F0118G |
Manufacturer
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OSRAM |
Description
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GaAs Infrared Emitting Diode |
Published
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Apr 14, 2005 |
Detailed Description
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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G
V...
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Datasheet
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F0118G
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Overview
GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale • Typ.
Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • Emissionswellenlänge: 950 nm • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen • Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Sensorik
I
Features • Typ.
total radiant power: 24 mW...
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