Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP15R12KS4C
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw.
Spitzensperrspannung repetitive peak reverse
voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip
Dauergleichstrom DC forward current
Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t - value
TC = 80°C
tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms,
Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C
VRRM
1600
V
IFRMSM
40
A
Id
15
A
IFSM
300
A
230
A
I2t
450
A2s
260
A2s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inve...