Part Number
|
KT816 |
Manufacturer
|
Integral |
Description
|
PNP Transistor |
Published
|
Dec 1, 2014 |
Detailed Description
|
КТ816
p-n-p кремниевый биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Пред...
|
Datasheet
|
KT816
|
Overview
КТ816
p-n-p кремниевый биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы.
Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы
• Прототип КТ816Б – BD234 • Прототип КТ816В – BD236 • Прототип КТ816Г – BD238
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150°C • Комплиментарная пара – КТ817
Обозначение технических условий
• аАО.
336.
186 ТУ / 02
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816А, Б, В, Г • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ816А9, Б9, В9, Г9
Назначение выводов
Вывод (корпус КТ-27)
№1 №2 №3
Назначение (корпу...
Similar Datasheet