Part Number
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LD242 |
Manufacturer
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Siemens Group |
Description
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GaAs Infrared Emitter |
Published
|
Apr 25, 2005 |
Detailed Description
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 242
ø0.45
2.54 mm spacing
Chip position
ø4.3 ø4.1
1 0.9 .1 1.1 .9 ...
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Datasheet
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LD242
|
Overview
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 242
ø0.
45
2.
54 mm spacing
Chip position
ø4.
3 ø4.
1
1 0.
9 .
1 1.
1 .
9 0
2.
7
1
14.
5 12.
5
3.
6 3.
0
ø5.
5 ø5.
2
GET06625
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx.
weight 0.
5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im q q q q q
Features
q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q q
Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Großer Öffnungskegel Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
liquid phase epitaxy proc...
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