DatasheetsPDF.com

1N4934

Diotec Semiconductor
Part Number 1N4934
Manufacturer Diotec Semiconductor
Description Fast Silicon Rectifiers
Published Mar 23, 2005
Detailed Description 1N 4933 … 1N 4937 Fast Silicon Rectifiers Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak r...
Datasheet PDF File 1N4934 PDF File

1N4934
1N4934

Overview
1N 4933 … 1N 4937 Fast Silicon Rectifiers Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
– Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm 1A 50…600 V DO-41 DO-204AL 0.
4 g Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack see page 16 siehe Seite 16 Maximum ratings Type Typ 1N 4933 1N 4934 1N 4935 1N 4936 1N 4937 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 Max.
average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 75/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 1 A 1) 10 A 1) 30 A 4.
5 A2s – 50…+150/C – 50…+175/C 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 106 28.
02.
2002 1N 4933 … 1N 4937 Characteristics Forward voltage – Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25/C Tj = 25/C Tj = 100/C IF = 1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR trr RthA Kennwerte < 1.
2 V < 5 :A < 100 :A < 200 ns < 45 K/W 1) IF = 0.
5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.
25 A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Rated repetitive peak forward current versus pulse duration Zulässige periodische Impulsbelastung in Abh.
von der Impulsdauer 1 ) Valid, i...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)