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1N5062

Diotec Semiconductor
Part Number 1N5062
Manufacturer Diotec Semiconductor
Description Silicon Rectifiers
Published Mar 23, 2005
Detailed Description 1N 5059 … 1N 5062 Silicon Rectifiers Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage...
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1N5062
1N5062

Overview
1N 5059 … 1N 5062 Silicon Rectifiers Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx.
– Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm 2A 200…800 V DO-15 DO-204AC 0.
4 g Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack see page 16 siehe Seite 16 Maximum ratings Type Typ 1N 5059 1N 5060 1N 5061 1N 5062 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 200 400 600 800 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 200 400 600 800 Max.
average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 25/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 2 A 1) 10 A 1) 50 A 12.
5 A2s – 50…+150/C – 50…+175/C 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 62 28.
02.
2002 1N 5059 … 1N 5062 Characteristics Forward voltage – Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 2 A VR = VRRM VF IR RthA Kennwerte < 1.
1 V < 5 :A < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 28.
02.
2002 63 ...


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