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BP104S

Siemens Semiconductor Group
Part Number BP104S
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Description Silicon Phototransistor
Published Mar 23, 2005
Detailed Description Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode BP 104 S Chip position 0...0.1 1.2 1.1 0.3 1.1 0.9 0.2 0.1 6...
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BP104S
BP104S


Overview
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode BP 104 S Chip position 0.
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0.
1 1.
2 1.
1 0.
3 1.
1 0.
9 0.
2 0.
1 6.
7 6.
2 4.
5 4.
3 1.
6 ±0.
2 0.
9 0.
7 GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ.
20 ns) q geeignet für Vapor-Phase Löten und IRReflow-Löten q SMT-fähig Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Fernsteuerungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ.
20 ns) q Suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering q Suitable for SMT Applications q Photointerrupters q IR remote controls q Industrial electronics q For control and drive circuits Typ Type BP 104 S Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1605 Semiconductor Group 1 1997-11-19 feo06862 Photosensitive area 2.
20 mm x 2.
20 mm Cathode lead 4.
0 3.
7 1.
7 1.
5 0.
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5 ˚ BP 104 S Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 .
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+ 85 20 150 Einheit Unit °C V mW Top; Tstg VR Ptot Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max.
Fotoempfindlichkeit Wavelength of max.
sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fo...


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