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BPX82

Siemens Semiconductor Group
Part Number BPX82
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Description NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays
Published Mar 23, 2005
Detailed Description BPX 80 BPX 82 ... 89 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 ... 89 Maße ...
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BPX82
BPX82

Overview
BPX 80 BPX 82 .
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89 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 .
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89 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm q Hohe Linearität q Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und Features q Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm q High linearität q Multiple-digit array package of transparent epoxy q Available in groups Applications q q q q Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Miniature photointerrupters Punched tape reading Industrial electronics For control and drive circuits Semiconductor Group 1 03.
96 feo06367 fez06365 BPX 80 BPX 82 .
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89 Typ Type Transistoren pro Zeile Number of Transistors per Array min 2 3 4 5 6 7 8 9 10 4.
5 7.
0 9.
6 12.
1 14.
6 17.
2 19.
7 22.
3 24.
8 Maße “A” Dimensions “A” max 4.
9 7.
4 10 12.
5 15 17.
6 20.
1 22.
7 25.
2 Bestellnummer Ordering Code BPX 82 BPX 83 BPX 84 BPX 85 BPX 86 BPX 87 BPX 88 BPX 89 BPX 80 Q62702-P21 Q62702-P25 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P22 Q62702-P32 Q62702-P33 Q62702-P26 Q62702-P28 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Symbol Symbol Wert Value – 40 .
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+ 80 230 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS 300 °C VCE IC 32 50 V mA Semiconductor Group 2 BPX 80 BPX 82 .
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89 Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezei...


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