DatasheetsPDF.com

4512

CXW
Part Number 4512
Manufacturer CXW
Description N-Channel MOSFET
Published Feb 13, 2020
Detailed Description N   -channel Enhancement Mode MOSFET     DESCRIPTION    The   uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellen...
Datasheet PDF File 4512 PDF File

4512
4512


Overview
N   -channel Enhancement Mode MOSFET     DESCRIPTION    The   uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.
  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.
      GENERAL FEATURES   RDS(ON) <  Ω @ VGS=4.
5V    RDS(ON) <  Ω @ VGS=10V   High Power and current handing capability   Lead free product is acquired   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous(Note 2)  VGS  ID（25℃）  ID（100℃）  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation (TA=25℃)  IDM  PD  Operating Junction and Storage Temperature Range  TJ,TSTG  THERMAL CHARACTERISTICS  Thermal Resistance,Junction‐to‐Ambient (Note 2)  RθJA             4512 DATASHEET 3424   S1 S2 S3 G4   8D 7D 6D 5D Marking and pin assignment Limit  45  +20          ‐55 To 150  35  Unit  V  V  A  A  A  W  ℃  ℃/W                               1                                N-channel Enhancement Mode MOSFET       ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃unless otherwise noted)  4512 DATASHEET 3424 Parameter  Symbol  Condition  Min  Typ  Max  OFF CHARACTERISTICS  Drain‐Source Breakdown Voltage  BVDSS  VGS=0V ID=250μA  45      Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS=24V,VGS=0V      1  Gate‐Body Leakage Current  IGSS  VGS=±20V,VDS=0V      ±100  ON CHARACTERISTICS (Note 3)  Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA      Drain‐Source On‐State Resistance  RDS(ON)  VGS=4.
5V, ID=15A    VGS=10V, ID=15A    DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4)  Input Capacitance  Ciss  VDS=15V,VGS=0V, F=1.
0MHz    Output Capacitance  Coss  Reverse Transfer Capacitance  Crss  SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)  Turn‐on Delay Time  td(on)  VDS=15V, VGS=10V,RGEN Ω       Turn‐on Rise Ti...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)