DatasheetsPDF.com

TIP117

Part Number	TIP117
Manufacturer	Motorola
Description	DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Published	Apr 16, 2005
Detailed Description	MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by TIP110/D Plastic Medium-Power Complementary Silicon Tran...
Datasheet	TIP117 PDF File

Overview

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by TIP110/D Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors .
.
.
designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
• High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 1.
0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP110, TIP115 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — TIP111, TIP116 VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — TIP112, TIP117 • Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 2.
5 Vdc (Max) @ IC = 2.
0 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors • TO–220AB Compact Package *MAXIMUM RATINGS Rating TIP110, TIP115 60 60 TIP111, TIP116 80 80 TIP112, TIP117 100 100 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Symbol VCEO VCB VEB IC IB Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage 5.
0 2.
0 4.
0 50 Collector Current — Continuous Peak Base Current mAdc Watts W/_C Watts W/_C mJ Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TA = 25_C Derate above 25_C Unclamped Inductive Load Energy — Figure 13 Operating and Storage Junction PD PD E 50 0.
4 2.
0 0.
016 25 TJ, Tstg – 65 to + 150 TIP11...

Similar Datasheet

TIP100 NPN Epitaxial Silicon Transistor - SemiHow
TIP100 Darlington NPN Power Transistors - TAITRON
TIP100 DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS - Motorola
TIP100 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors - ON Semiconductor
TIP100 NPN SILICON POWER DARLINGTONS - Power Innovations Limited
TIP100 NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor - Fairchild Semiconductor
TIP100 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS - CDIL
TIP100 NPN Plastic Medium-Power Silicon Transistors - MCC
TIP100 (TIP100 - TIP102) Silicon NPN Darlington Power Transistors - Comset Semiconductors
TIP100 NPN Transistor - INCHANGE

@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)