DatasheetsPDF.com

LPT80

Siemens Semiconductor
Part Number LPT80
Manufacturer Siemens Semiconductor
Description NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Published Apr 25, 2005
Detailed Description LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 16.51 16.00 1.52 2.54mm spacing 5.84 5.59 ...
Datasheet PDF File LPT80 PDF File

LPT80
LPT80

Overview
LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 16.
51 16.
00 1.
52 2.
54mm spacing 5.
84 5.
59 1.
52 1.
29 1.
14 4.
57 4.
32 2.
54 2.
03 2.
34 2.
08 Collector 1.
52 Plastic marking 1.
70 1.
45 GEO06391 0.
64 0.
46 0.
64 0.
46 R = 0.
76 feo06391 Approx.
weight 0.
2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm q Sidelooker im Kunststoffgehäuse q Hohe Empfindlichkeit q Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A Anwendungen q Fertigungs- und Kontrollanwendungen der Industrie q Lichtschranken Typ Type LPT 80 A Bestellnummer Ordering Code Q68000-A7852 Gehäuse Package Features q Especially suitable for applications from 470 nm to 1080 nm q Sidelooker in plastic package q High sensitivity q Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A Applications q A variety of manufacturing and monitoring applications q Photointerrupters Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.
54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzeichnung: Längerer Lötspieß Clear plastic miniature package, 2.
54 mm (1/10”) lead spacing, collector marking: long solder lead Semiconductor Group 1 1998-11-16 LPT 80 A Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 40 .
.
.
+ 100 30 50 100 7 100 750 Einheit Unit °C V mA mA V mW K/W Top; Tstg VCE IC ICS VEC Ptot RthJA Semiconductor Group 2 1998-11-16 LPT 80 A Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max.
Fotoempfindlichkeit Wavelength of max.
sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S=10% von Smax S...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)