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EMP21N03HC

Excelliance MOS
Part Number EMP21N03HC
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description   N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  2....
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EMP21N03HC
EMP21N03HC

Overview
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  2.
1mΩ  ID  100A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMP21N03HC LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current1  Pulsed Drain Current2  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=65A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy3  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  100  75  ...


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