BT40T60ANF bipolar transistor Datasheet

BT40T60ANF Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

BT40T60ANF

Description

Insulated gate bipolar transistor

Manufacture

Huajing Microelectronics

Total Page 7 Pages
Datasheet
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BT40T60ANF
绝缘栅双极型晶体管
BT40T60 ANF
R
概述
BT40T60 ANF 采用先进的沟槽 FS IGBT 技术,具有良好的导
通和开关特性,易并联使用的特点。
符合 RoHS 指令要求。
特点
● 沟槽 FS 技术,正温度系数;
● 低通态压降:VCE(sat),TYP=1.8V @IC=40A,VGE=15V
特征参数
VCES
IC
Ptot TC=25
VCE(sat)
600
40
280
1.8
封装:TO-3PN
V
A
W
V
用途
● 逆变电焊机
● 太阳能逆变器
● 不间断电源
● 中高开关频率变频器
极限值(除非另有规定,TC= 25℃)
符号
参数名称
VCES 最高集电极-发射极直流电压
VGES 最高栅 极-发射极直流电压
集电极直流电流
IC 集电极直流电流
@TC=25
@TC=100
ICMa1
集电极脉冲电流
@TC=25
IF 二极管直流正向电流 @TC=100
IFM 二极管脉冲正向电流
耗散功率
@TC=25
PD 耗散功率
@TC=100
耗散功率
@TA=25
TJ 最高结温
Tstg 存储温度范围
TL 引线最高焊温度
注释a1:脉冲受限于最高结温
内部等效原理图
额定值
600
±20
80
40
120
20
100
280
110
3.125
150
-55150
270
单位
V
V
A
A
A
A
W
无锡华润华晶微电子有限公司
2017V01
1/7

BT40T60ANF
BT40T60 ANF
热特性
符号
RθJC
RθJC
RθJA
参数名称
壳热阻IGBT
壳热阻(二极管)
到环境热阻
典型
--
--
--
0.446
1.25
40
R
单位
/W
/W
/W
电特性 (除非另有规定,TC= 25)
符号
参数名称
态特性(关态)
V(BR)CES 集电极-发射极击穿电压
ICES 栅压集电极电流
IGES(F)
正向栅极体漏电流
IGES(R) 向栅极体漏电流
态特性(通态)
VCE(sat) 集电极-发射极和压降
VGE(th)
值电压
脉冲tp380µs,δ≤2%
态特性
Cies
Coes
Cres
开关特性
输入
输出
传输
td(on) 开通延迟时
tr 上升时
td(off)
关断延迟时
tf
Eon a2
开通
Eoff 关断
Ets 开关总损
Qg 栅极电荷总量
Qge 栅极发射极电
Qgc 栅极集电极电
并联二极管特性
VF 正向压降
trr 恢复时
Irrm 恢复电流
Qrr 恢复
注释a2:开启损包含二极管的耗;
测试条件
单位
小 典型
VGE=0V,ICE=250uA
VGE=0V,VCE=600V
VGE=+20V
VGE =-20V
600
--
--
--
-- -- V
-- 1.0 mA
-- +250 nA
-- -250 nA
IC=40A ,VGE=15V
IC=1mA ,VCE=VGE
-- 1.8 2.3
4.0 5.7 7.0
V
V
VCE=30V,VGE=0V
f=1MHz
-- 2758 --
-- 170 --
-- 88 --
pF
-- 42 --
-- 50 --
VCE=400V,IC=40A,
-- 218 --
Rg=10Ω,VGE=15V,
-- 57 --
负载,Ta=25℃, -- 1.67 --
-- 0.97 --
-- 2.64 --
VCE=400V,IC=40A,
VGE=15V,
-- 165 --
-- 15 --
-- 96 --
ns
mJ
nC
IF=20A
IF=20A
di/dt=200A/uS
-- 1.5 1.8
-- 52 --
-- 5.2 --
-- 135.2 --
V
ns
A
nC
无锡华润华晶微电子有限公司
2017V01
2/7


Features .
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