bipolar transistor. T2095-H Datasheet

T2095-H transistor. Datasheet pdf. Equivalent

Part T2095-H
Description Silicon NPN bipolar transistor
Feature NPN T2095-H ○R T2095 NPN , , , 、 。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot (Ta=25℃) 450.
Manufacture Huajing Microelectronics
Datasheet
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NPN T2095-H ○R T2095 NPN 、 ● ● ● ● ● ● ● T2095-H Datasheet
Recommendation Recommendation Datasheet T2095-H Datasheet




T2095-H
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
T2095-H
R
产品概述
T2095 是硅 NPN 型功率
开关晶体管该产品采用平
面工艺压环终端构和
少子寿命控制技术
产品击穿电压开关速度
可靠性
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
合适的开关速度
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电路
特征参数
符号
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
额定值
450
0.8
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
极限值 (除非另有规定,Ta= 25℃)
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
内部结构图
C
B
E
额定值
750
450
11
0.8
1.6
0.4
0.8
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2016V01
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T2095-H
T2095-H
R
电参数 (除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=750V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=11V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.1A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.1A
IC=0.2A, IB=40mA
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.2A, IB=40mA
贮存时间
ts UI9600IC=0.25A
上升时间
下降时间
tr
tf
UI9600IC=0.1A
征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
* 脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 0.3~1.1~2μs hFE 分档 20~33
最小 典型 最大
5
5
5
750 790
450
11
20 33
单位
μA
μA
μA
V
V
V
0.75 0.9
0.2 0.45 V
0.85 1.05 V
0.3 2 μs
1 μs
0.7 μs
4 MHz
有害物质说明
害物质或元素
邻苯二
邻苯二
件名称
多溴 多溴二
邻苯二
镉 六价铬
甲酸二
甲酸二
联苯 苯醚
甲酸酯
含量要求Pb Hg Cd Cr(VI)
异丁酯
丁酯
PBB PBDE
DEHP
DIBP DBP
引线框
0.1%
0.1%
0.01%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
邻苯二
甲酸丁
苄酯
BBP
0.1%
无锡华润华晶微电子有限公司
2016V01
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