Mode MOSFET. TDM31534 Datasheet

TDM31534 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM31534 Datasheet
Recommendation TDM31534 Datasheet
Part TDM31534
Description N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM31534; T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM31534  uses  advance.
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM31534 Datasheet




Techcode TDM31534
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM31534  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) < 78mΩ @ VGS=4.5V 
RDS(ON) < 69mΩ @ VGS=10V 
Reliable and Rugged 
Lead free product is available 
SOP8 Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
Hard Switched and High Frequency Circuits 
DATASHEET
TDM31534
 
 
Top View of SOP8 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
DrainSource Voltage 
GateSource Voltage 
Drain Current @ Continuous(Note 1) 
Drain Current @ CurrentPulsed (Note 2) 
Diode Continuous Forward Current(Note 1) 
Maximum Power Dissipation (Note 1) 
Maximum Operating Junction Temperature 
Storage Temperature Range 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient (Note 1) 
 
Symbol 
VDS 
VGS 
IDTA=25℃) 
IDTA=70℃) 
IDMTA=25℃) 
ISTA=25℃) 
PD(TA=25) 
PD(TA=70) 
TJ 
TSTG 
RθJA(t10s) 
RθJA Steady State 
Limit 
150 
+20 
4.5 
3.6 
18 
3 
3.1 
2.0 
150 
55 To 150 
40 
80 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
A 
W 
W 
 
 
/W 
/W 
July  22,  2016                                                    Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM31534
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM31534
Parameter 
Symbol  Condition 
Min 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
GateBody Leakage Current 
BVDSS 
IDSS 
IGSS 
VGS=0V ID=250μA 
VDS=120V,VGS=0V 
VGS=±25V,VDS=0V 
150 
‐ 
‐ 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
2 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON) 
VGS=4.5V, ID=3A 
VGS=10V, ID=5A 
‐ 
‐ 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Gate Resistance 
RG  VDS=0V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=30V,VGS=0V, F=1.0MHz 
‐ 
‐ 
Output Capacitance 
Coss 
‐ 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
‐ 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
TurnOff Delay Time 
TurnOff Fall Time 
Total Gate Charge 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
Qg 
VDS=30V,  RL=30Ω,  VGEN=10V,RG=6Ω  ‐ 
ID=1A 
‐ 
‐ 
‐ 
VDS=75V,ID=4.5A,VGS=10V 
‐ 
GateSource Charge 
Qgs 
‐ 
GateDrain Charge 
Qgd 
‐ 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=4.5A, dI/dt=100A/μs 
‐ 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
‐ 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=4.5A 
NOTES: 
1. Surface Mounted on 1in2 pad area, t10sec. 
2. Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3. Guaranteed by design, not subject to production testing 
‐ 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Typ  Max  Unit 
‐  ‐ 
V 
‐  1 
μA 
‐  ±100  nA 
3  4 
60  78 
57  69 
V 
mΩ 
mΩ 
1 
2000 
105 
30 
‐ 
2600 
‐ 
‐ 
Ω 
PF 
PF 
PF 
16  29 
6  11 
42  76 
8  15 
35  49 
6  ‐ 
4.6  ‐ 
103  ‐ 
250  ‐ 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
nS 
nC 
0.8  1.3  V 
July  22,  2016                                                    Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM31534
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Typical Operating Characteristics 
DATASHEET
TDM31534
 
 
 
July  22,  2016                                                    Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)