Suppressor Diodes. BZW06-9V4 Datasheet

BZW06-9V4 Diodes. Datasheet pdf. Equivalent


Part BZW06-9V4
Description Transient Voltage Suppressor Diodes
Feature BZW06-5V8 ... BZW06-376B BZW06-5V8 ... BZW06-376B Transient Voltage Suppressor Diodes Spannungs-Beg.
Manufacture Diotec
Datasheet
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BZW06-9V4 Datasheet
BZW06-5V8 ... BZW06-376B BZW06-5V8 ... BZW06-376B Transient BZW06-9V4 Datasheet
BZW06-5V8B SERIES VBR : 6.8 - 440 Volts PPK : 600 Watts FEAT BZW06-9V4B Datasheet
BZW06-5V8 ... BZW06-376B BZW06-5V8 ... BZW06-376B Transient BZW06-9V4B Datasheet
BZW06-9V4R Datasheet
Recommendation Recommendation Datasheet BZW06-9V4 Datasheet




BZW06-9V4
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
Transient Voltage Suppressor Diodes
Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 600W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 175°C
VWM = 5.0 ... 376 V
VBR = 6.8 ... 440 V
Version 2018-10-26
~DO-15
~DO-204AC
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Ø 3±0.05
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Ø 0.8±0.05
Mechanical Data 1)
Taped in ammo pack
4000
Mechanische Daten 1)
Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx.
0.4 g
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Case material
Solder & assembly conditions
UL 94V-0
260°C/10s
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 75°C
60 Hz (8.3 ms)
Grenzwerte 2)
PPPM 600 W 3)
PM(AV)
5 W 4)
IFSM 100 A 5)
Tj -50...+175°C
TS -50...+175°C
Characteristics
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Typical thermal resistance junction to lead
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
IF = 25 A
Tj = 25°C
VBR ≤ 200 V
VBR > 200 V
Kennwerte
VF
< 3.0 V 5)
< 6.5 V 5)
RthA 45 K/W 4)
RthL 15 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
5 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1



BZW06-9V4
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
Characteristics (Tj = 25°C)
Type
Typ
BZW06-
Stand-off
voltage
Sperrspannung
unidirectional bidirectional
VWM [V]
5V8
6V4
7V0
7V8
8V5
9V4
10
11
13
14
15
17
19/-Q
5V8B
6V4B
7V0B
7V8B
8V5B
9V4B
10B
11B
13B
14B
15B
17B
19B
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20 20B/-Q
20.5
23 23B
26 26B
28 28B
31 31B
33 33B
37 37B
40 40B
44 44B
48 48B
53 53B
58 58B
64 64B
70 70B
78 78B
85 85B
94 94B
102 102B
111 111B
128 128B
136 136B
145 145B
154 154B
171 171B
188 188B
213 213B
239 239B
256 256B
273 273B
299 299B
342 342B
376 376B
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53.0
58.1
64.1
70.1
77.8
85.8
94.0
102
111
128
136
145
154
171
188
213
239
256
273
299
342
376
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
ID [µA]
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Kennwerte (Tj = 25°C)
Breakdown voltage at IT = 1 mA Max. clamping voltage
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Max. Begrenzer-Spannung
*) at / bei IT = 10 mA
at / bei IPPM (10/1000 µs)
VBR [V]
VC [V]
IPPM [A]
6.8 ± 5%
7.5 ± 5%
8.2 ± 5%
9.1 ± 5%
10 ± 5%
11 ± 5%
12 ± 5%
13 ± 5%
15 ± 5%
16 ± 5%
18 ± 5%
20 ± 5%
22 ± 5%
6.45...7.14 *)
7.13...7.88 *)
7.79...8.61 *)
8.65...9.55
9.5...10.5
10.5...11.6
11.4...12.6
12.4...13.7
14.3...15.8
15.2...16.8
17.1...18.9
19.0...21.0
20.9...23.1
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
57
53
50
45
41
38
36
33
28
27
24
22
20
24 ± 5%
22.8...25.2
33.2
18
27 ± 5%
30 ± 5%
33 ± 5%
36 ± 5%
39 ± 5%
43 ± 5%
47 ± 5%
51 ± 5%
56 ± 5%
62 ± 5%
68 ± 5%
75 ± 5%
82 ± 5%
91 ± 5%
100 ± 5%
110 ± 5%
120 ± 5%
130 ± 5%
150 ± 5%
160 ± 5%
170 ± 5%
180 ± 5%
200 ± 5%
220 ± 5%
250 ± 5%
280 ± 5%
300 ± 5%
320 ± 5%
350 ± 5%
400 ± 5%
440 ± 5%
25.7...28.4
28.5...31.5
31.4...34.7
34.2...37.8
37.1...41.0
40.9...45.2
44.7...49.4
48.5...53.6
53.2...58.8
58.9...65.1
64.6...71.4
71.3...78.8
77.9...86.1
86.5...95.5
95.0...105
105...116
114...126
124...137
143...158
152...168
162...179
171...189
190...210
209...231
237...263
266...294
285...315
304...336
332...368
380...420
418...462
37.5
41.5
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77.0
85.0
92.0
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
301
344
384
414
438
482
548
603
16
14.5
13.1
12.0
11.1
10.1
9.3
8.6
7.8
7.1
6.5
5.8
5.3
4.8
4.4
3.9
3.6
3.4
2.9
2.7
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.7
1.6
1.6
1.6
1.3
1.3
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG







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