TDM31064 MOSFET Datasheet

TDM31064 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

TDM31064

Description

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Manufacture

Techcode

Total Page 7 Pages
Datasheet
Download TDM31064 Datasheet


TDM31064
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM31064  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
 
RDS(ON) < 18.8mΩ @ VGS=4.5V 
RDS(ON) < 14.0mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
Lead free product is available 
TO220 Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
Hard Switched and High Frequency Circuits 
 
DATASHEET
TDM31064
 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Diode Continuous Forward Current 
Pulsed Drain Current 
Drain Current @ Continuous 
ISTC=25℃) 
IDMTC=25℃) 
IDTC=25℃) 
IDTC=100℃) 
Maximum Power Dissipation(t10s) 
PD(TC=25) 
PD(TC=100) 
Drain Current @ Continuous 
Maximum Power Dissipation(t10s) 
Thermal Resistance,JunctiontoCase 
IDTA=25℃) 
IDTA=70℃) 
PD(TA=25) 
PD(TA=70) 
RθJC 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient (Note 1) 
RθJA(Steady State) 
Avalanche Current, Single pulse 
IAS(L=0.5mH) 
Avalanche Energy, Single pulse 
Maximum Operating Junction Temperature 
EAS(L=0.5mH) 
TJ 
Storage Temperature Range 
 
TSTG 
Limit 
100 
+20 
21 
172 
54 
30 
104 
45 
7.2 
5.8 
2 
1.25 
1.1 
62.5 
18 
81 
150 
55 To 150 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
A 
W 
W 
A 
A 
W 
W 
/W 
/W 
A 
mJ 
 
 
May  9,  2017                                                  Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 

TDM31064
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM31064
Parameter 
Symbol  Condition 
Min 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
GateBody Leakage Current 
BVDSS 
IDSS 
IGSS 
VGS=0V ID=250μA 
VDS=80V,VGS=0V 
VGS=±20V,VDS=0V 
100 
‐ 
‐ 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
1 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON) 
RDS(ON) 
VGS=4.5V, ID=15A 
VGS=10V, ID=20A 
‐ 
‐ 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Gate Resistance 
RG  VDS=0V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=30V,VGS=0V, F=1.0MHz 
‐ 
‐ 
Output Capacitance 
Coss 
‐ 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
‐ 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
TurnOff Delay Time 
TurnOff Fall Time 
Total Gate Charge 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
Qg 
VDS=30V,  RL=30Ω,  VGEN=10V,RG=6Ω  ‐ 
ID=1A 
‐ 
‐ 
‐ 
VDS=50V,ID=20A,VGS=10V 
‐ 
GateSource Charge 
Qgs 
‐ 
GateDrain Charge 
Qgd 
‐ 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=20A, dI/dt=100A/μs 
‐ 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
‐ 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=2A 
NOTES: 
1. Pulse width limited by max. junction temperature. 
2. Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3. Guaranteed by design, not subject to production testing 
‐ 
 
 
 
 
 
 
 
 
Typ  Max  Unit 
‐  ‐ 
V 
‐  1 
μA 
‐  ±100  nA 
2 
14 
11.2 
3 
18.8 
14.0 
V 
mΩ 
mΩ 
1.0 
1440 
405 
30 
‐ 
1880 
‐ 
‐ 
Ω 
PF 
PF 
PF 
16  29 
7  13 
38  69 
41  74 
28  40 
4.8  ‐ 
5.8  ‐ 
45  ‐ 
86  ‐ 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
nS 
nC 
0.8  1.3  V 
May  9,  2017                                                  Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 


Features T  echcode®       N-Channel Enh ancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM31064  uses  advanced  tren ch  technology  to  provide  excell ent  RDS(ON)  and  low  gate  char ge.  This  device  is  suitable  f or  use  as  a  load  switch  or in    PWM  applications.  GENERA L FEATURES     RDS(ON) < 18.8 mΩ @ VGS=4.5V  RDS(ON) < 14.0m  @ VGS=10V   High Power and c urrent handling capability   Lead  free product is available   TO ‐220 Package  Application   P WM applications   Load switch  Power management   Hard Switch ed and High Frequency Circuits  DATASHEET TDM31064       ABSOLU TE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless ot herwise noted)  Parameter  Symbol Drain‐Source Voltage  VDS  Ga te‐Source Voltage  VGS  Diode C ontinuous Forward Current  Pulsed D rain Current  Drain Current @ Cont inuous  IS(TC=25℃)  IDM(TC=25℃)  ID(TC=25℃)  ID(TC=100℃)  Maximum Power Dissipation(t≤10s)  PD(TC=25℃)  PD(TC=100℃)  Drain Current @ Continuous  Maximum Power Dissipation(t≤10s)  Thermal R.
Keywords TDM31064, datasheet, pdf, Techcode, N-Channel, Enhancement, Mode, MOSFET, DM31064, M31064, 31064, TDM3106, TDM310, TDM31, Equivalent, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)