4512 FET Datasheet

4512 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

4512

Description

N-channel Enhancement Mode MOS FET

Manufacture

CXW

Total Page 5 Pages
Datasheet
Download 4512 Datasheet


4512
N   -channel Enhancement Mode MOSFET
 
 
DESCRIPTION 
  The   uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
 
 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) <  Ω @ VGS=4.5V   
RDS(ON) <  Ω @ VGS=10V 
High Power and current handing capability 
Lead free product is acquired 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
Drain Current @ Continuous(Note 2) 
VGS 
ID25℃) 
ID100℃) 
Drain Current @ CurrentPulsed (Note 1) 
Maximum Power Dissipation (TA=25) 
IDM 
PD 
Operating Junction and Storage Temperature Range 
TJ,TSTG 
THERMAL CHARACTERISTICS 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient (Note 2) 
RθJA 
 
 
 
 
  
4512 DATASHEET
3424
 
S1
S2
S3
G4
  8D
7D
6D
5D
Marking and pin assignment
Limit 
45 
+20 
 
 
 
 
55 To 150 
35 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
W 
 
/W 
                            
1 
                         

4512
 
 
N-channel
Enhancement
Mode
MOSFET
 
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
4512
DATASHEET
3424
Parameter 
Symbol  Condition 
Min  Typ  Max 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS  VGS=0V ID=250μA 
45   
 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=24V,VGS=0V 
    1 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±20V,VDS=0V 
    ±100 
ON CHARACTERISTICS (Note 3) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
   
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON)  VGS=4.5V, ID=15A 
 
VGS=10V, ID=15A 
 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4) 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
 
Output Capacitance 
Coss 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4) 
Turnon Delay Time 
td(on) 
VDS=15V, VGS=10V,RGEN Ω 
 
  
Turnon Rise Time 
tr 
    
TurnOff Delay Time 
td(off) 
    
TurnOff Fall Time 
tf 
    
Total Gate Charge 
Qg  VDS=15V,ID=15A,VGS=4.5V 
 
GateSource Charge 
Qgs 
 
GateDrain Charge 
Qgd 
 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=5A, dI/dt=100A/μs 
  20   
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
  10   
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Dio  de Forward Voltage (Note 3) 
NO TES: 
VSD  VGS=0V,IS=1A  
  0.80  1.2 
1. Pulse Test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle 2%.
2. RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is
defined as the solder mounting surface of the drain pins.RθJC is guaranteed by design while RθCA is determined by the
user's board design. RθJA shown below for single device operation on FR-4 in still air.
Unit 
V 
μA 
nA 
V 
mΩ 
mΩ 
PF 
PF 
PF 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
nS 
nC 
V 
2 


Features N   -channel Enhancement Mode MOSFET   DESCRIPTION    The   uses  ad vanced  trench  technology  to  pro vide  excellent  RDS(ON)  and  low gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applicatio ns.      GENERAL FEATURES   RDS(ON) <  Ω @ VGS=4.5V    RDS( ON) <  Ω @ VGS=10V   High Po wer and current handing capability  Lead free product is acquired    Surface Mount Package  Appli cation   PWM applications   L oad switch   Power management      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25 ℃unless otherwise noted)  Paramet er  Symbol  Drain‐Source Voltage   VDS  Gate‐Source Voltage  Dra in Current @ Continuous(Note 2)  VGS  ID(25℃)  ID(100℃)  Drain Current @ Current‐Pulsed ( Note 1)  Maximum Power Dissipation (TA=25℃)  IDM  PD  Operating J unction and Storage Temperature Range  TJ,TSTG  THERMAL CHARACTERISTICS  Thermal Resistance,Junction‐to‐Ambient (Note 2)  RθJA             4512 DATASHEET 3424   S1 S2 S3 G4   8D 7D 6D 5D Marking .
Keywords 4512, datasheet, pdf, CXW, N-channel, Enhancement, Mode, MOS, FET, 512, 12, 2, 451, 45, 4, Equivalent, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)