FD2103 Gate Driver Datasheet

FD2103 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

FD2103

Description

180V Half-Bridge Gate Driver

Manufacture

Fortior

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Datasheet
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FD2103
FD2103
FD2103
概述
FD2103 是一款半桥栅极驱动电路芯片,
设计用于高压、高速驱动 N 型功率 MOSFET
可在高达+180V 电压下工作。
FD2103 内置欠压(UVLO)保护功能,
防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。
FD2103 内置直通防止和死区时间,防止
功率管发生直通,有效保护功率器件。
封装
180V 半桥栅极驱动器
产品特点
悬浮绝对电压+180V
输出电流+1.0A/-1.0A
3.3V/5V输入逻辑兼容
VCC欠压保护(UVLO
高端输出与高端输入同相
低端输出与低端输入反相
内置直通防止功能
内置100ns死区时间
应用
马达驱动
DC-DC转换器
SOIC-8
订购信息
产品名称
FD2103S
封装形式
SOIC-8
订货型号
FD2103S

FD2103
1. 绝对最大额定值(除非特殊说明,所有管脚均以 COM 为参考点)
参数
符号
高侧浮动绝对电压
VB
高侧浮动偏移电压
VS
高侧输出电压
VHO
低侧供电电压
VCC
低侧输出电压
VLO
逻辑输入电压(HIN, LIN*
VIN
偏移电压压摆率范围
dVS/dt
功率耗散@TA25C
SOIC-8
PD
结对环境的热阻
SOIC-8
RthJA
结温范围
Tj
储存温度范围
1:在任何情况下,不要超过 PD
Tstg
2:电压超过绝对最大额定值,可能会损坏芯片。
范围
-0.3205
VB-25VB+0.3
VS-0.3VB+0.3
-0.325
-0.3VCC+0.3
-0.3VCC+0.3
50
0.625
200
150
-55150
FD2103
单位
V
V
V
V
V
V
V/ns
W
C/W
C
C
2. 推荐工作条件(所有电压均以 COM 为参考点)
参数
符号
最小值
最大值
单位
高侧浮动绝对电压
VB VS+10
VS+20
V
高侧浮动偏移电压
VS -5
180 V
高侧输出电压
VHO
VS
VB V
低侧供电电压
VCC 10
20 V
低侧输出电压
VLO 0
VCC
V
逻辑输入电压(HIN, LIN*
VIN 0
VCC
V
环境温度
TA -40
125 C
1:芯片长久工作在推荐工作条件外,可能会影响其可靠性,不建议芯片在推荐工作条件之外长期工作。
2


Features FD2103 FD2103 FD2103 、 N MOSFET +1 80V FD2103 (UVLO) FD2103 180V  +180V  +1.0A/-1.0A  3.3V/5 V  VCC(UVLO)     100ns DC-DC SOIC-8 FD2103S SOI C-8 FD2103S 1. ( COM ) VB VS VHO VCC VLO (HIN, LI N*) VIN dVS/dt @TA≤25C SOI C-8 PD SOIC-8 RthJA Tj 1: PD Tstg 2: -0.3~205 VB-25~VB +0.3 VS-0.3~VB+0.3 -0.3~25 -0.3~V CC+0.3 -0.3~VCC+0.3 ≤50 ≤0.625 200 ≤150 -55~150 FD2103 V V V V V V V/ns W C/W C C 2. ( COM ) VB VS+10 VS+20 V VS -5 180 V VHO VS VB V VCC 1 0 20 V VLO 0 VCC V (HIN, LIN* VIN 0 VCC V TA -40 125 C 1: 2 FD2103 3. ( TA =25CVCC= VBS=15VVS=COM) VCC VCC VCC VB S VCC LIN* LIN* HIN HIN VS V IH VIL VCCUV+ VCCUVVCCUVH ILK IQBS IQCC ILIN+ ILINIHIN+ IHINVOH VOL IOH IOL VS N VB=VS=180V VIN=0V 5V VIN =0V 5V V LIN*=0V VLIN*=5V VHIN=5V VHIN=0V IO=20mA IO=20mA VO=0VPWD≤10μs VO=15VPWD≤10μs 2.7 -- -- V -- -- 0.8 V 8.0 8.9 9.8 V 7.3 8.2 9.1 V 0.5 0.7 -.
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