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FP10R12W1T4_B11 Datasheet, Equivalent, IGBT.

IGBT

IGBT

 

 

 

Part FP10R12W1T4_B11
Description IGBT
Feature TechnischeInformation/TechnicalInfor mation IGBT-Module IGBT-modules FP10R 12W1T4_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT, Inverter HöchstzulässigeWerte/Max imumRatedValues Kollektor-Emitter-Sp errspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tv j max = 175°C PeriodischerKollektor- Spitzenstrom Repetitivepeakcollector current tP = 1 ms Gesamt-Verlustleist ung Totalpowerdissipation TC = 25°C , Tvj max = 175°C Gate-Emitter-Spitze nspannung Gate-emitterpeakvoltage  VorläufigeDaten Preli .
Manufacture Infineon
Datasheet
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Part FP10R12W1T4_B11
Description IGBT
Feature TechnischeInformation/TechnicalInfor mation IGBT-Module IGBT-modules FP10R 12W1T4_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT, Inverter HöchstzulässigeWerte/Max imumRatedValues Kollektor-Emitter-Sp errspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tv j max = 175°C PeriodischerKollektor- Spitzenstrom Repetitivepeakcollector current tP = 1 ms Gesamt-Verlustleist ung Totalpowerdissipation TC = 25°C , Tvj max = 175°C Gate-Emitter-Spitze nspannung Gate-emitterpeakvoltage  VorläufigeDaten Preli .
Manufacture Infineon
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FP10R12W1T4_B11

FP10R12W1T4_B11
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FP10R12W1T4_B11

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