Fast Diode. D921S45T Datasheet

D921S45T Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part D921S45T
Description Fast Diode
Feature European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information D 921 S 45 T 62,8 Anode A .
Manufacture eupec
Datasheet
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D921S45T
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
D 921 S 45 T
62,8
Anode
A
K
Kathode
3,5±
VWK January



D921S45T
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 921 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert1)
surge forward current1)
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage
Durchlaßspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sanftheit
Softness
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anpreßkraft /clamping force
Gewicht / weight
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
tvj = -40°C...140°C
tvj = +25°C...140°C
tC = 85°C
tC = 52°C
tvj = 25°C, tp = 10 ms, vR = 0V
tvj = 140°C, tp = 10 ms, vR = 0V
tvj = 25°C, tp = 10 ms, vR = 0V
tvj = 140°C, tp = 10 ms, vR = 0V
IFM = 3000 A, VR = 0,67 VDRM
CS = 0,3 µF, RS = τ/CS
tc = -25°C ... +85°C
tvj = 140°C, Fi = 2500 A
tvj = 140°C
tvj = 140°C
tvj = 140°C, vR = 0,67 VRRM
tvj = 140°C, vR = VRRM
iFM = 1000 A, -dFi /dt = 250 A/µs
vR = 1000 V; DS = D291S45T
C = 0,3 µF; R =τ/CS
iFM = 1000 A, -dFi /dt = 250 A/µs
vR = 1000 V; DS = D291S45T
C = 0,3 µF; R =τ/CS
iFM = 1000 A, -dFi /dt = 250 A/µs
vR = 1000 V; DS = D291S45T
C = 0,3 µF; R =τ/CS
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
Kathode / cathode
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
DIN 40040
f = 50 Hz
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
(-diF/dt)com
4500 V
4600 V
2560 A
1380 A
1630 A
A
23000 A
A²s
2650000 A²s
500 A/µs
VR(D)
VF
V(TO)
rT
iR
IRM
Qrr
SR
typ. 2600 V
max 2,6 V
1,4 V
0,48 m
mA
max. 100 mA
max. 800 A
2800 µAs
typ. 0,002 µAs
RthJC
RthCK
tvjmax
tc op
tstg
0,0125 K/W
0,0228 K/W
0,0277 K/W
max. 0,003 K/W
max. 0,006 K/W
140 °C
-40...+140 °C
-40...+150 °C
Seite / page 1
F
27...45 kN
G
typ. 850 g
20 mm
30 mm
C
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)





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