Fast Diode. D1251S45T Datasheet

D1251S45T Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part D1251S45T
Description Fast Diode
Feature European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information D 1251 S 45 T ∅ 75 C 14+-.
Manufacture eupec
Datasheet
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D1251S45T
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
D 1251 S 45 T
75
C
77 max.
A
48-0.1
2 center holes
3.5 ×1.8
VWK January



D1251S45T
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1251 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert1)
surge forward current1)
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / contin. direct reverse voltage
Durchlaßspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstromes beim Ausschalten /
repetitive decay rate of on-state current at turn-off
tvj = -40°C...140°C
tvj = +25°C...140°C
tC = 85°C
tC = 70°C
tvj = 25°C
tvj = 140°C
tvj = 25°C
tvj = 140°C
tC = -40°C...+85°C
tvj = 140°C iFM = 2500 A
tvj = 140°c
tvj = 140°C
tvj = 140°C, vR = 0,67 VRRM
tvj = 140°C, vR = VRRM
iFM = 1000 A, -dFi /dt = 250 A/µs
tvj = 140 °C; vR(Spr) = 1000 V;
C = 3 µF; R = 4
iFM = 1000 A, -dFi /dt = 250 A/µs
tvj = 140 °C; vR(Spr) = 1000 V;
C = 3 µF; R = 4
iFM = 2000 A, CS = 3 µF; R = 4
tvj = 140 °C; vR = 3000 V;
Snubberdiode D291S
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
VR(D)
VF
V(TO)
rT
iR
IRM
Qrr
(-di/dt)com
4500 V
4600 V
2400 A
1310 A
1530 A
18000 A 1)
1,62x106 A²s
typ. 2500 V
max. 2,5 V
1,25 V
0,45 m
80 mA
800 A
3000 µAs
500 A/µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemperatur/ max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anpreßkraft /clamping force
Gewicht / weight
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
Kathode / cathode
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
DIN 40040
f = 50 Hz
RthJC
RthCK
tvjmax
tc op
tstg
0,014 K/W
0,0245 K/W
0,0325 K/W
0,005 K/W
0,01 K/W
140 °C
-40...+140 °C
-40...+150 °C
Seite / page 1
F
15...36 kN
G
ca. 350 g
ca. 10 mm
16 mm
C
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Gehäusegrenzstrom ca 15 kA, 50 Hz Sinus-Halbwelle / current liit of cas ca 15 kA, 50 Hz sine half wave





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