Rectifier Diode. D850N Datasheet

D850N Diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part D850N
Description Rectifier Diode
Feature N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Elektrische Eigenschafte.
Manufacture Infineon
Datasheet
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D850N
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -25°C... Tvj max
repetitive peak reverse voltages
DurcEhlalßestrkomt-rGirsenczehffeketivwEert igenschaften
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
VRRM 2800
3200
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
IFSM
I²t
3600 V
4000 V 1)
1790 A
850 A
1210 A
1900 A
15400 A
12800 A
1186 10³A²s
819 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 3,5 kA
Tvj = Tvj max , iF = 850 A
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 200 A iF 4000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
v F = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D iF
Sperrstrom
ThermischeTvjEigenschaften = Tvj max , vR = VRRM
reverse current
vF
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
max.
max.
2,62 V
1,28 V
0,84 V
0,485 m
1,127E-01
5,455E-04
1,541E-01
-1,097E-02
max.
50 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
1) 4000V auf Anfrage / 4000V on request
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,038 °C/W
0,035 °C/W
0,064 °C/W
0,061 °C/W
0,085 °C/W
0,082 °C/W
max.
max.
0,005 °C/W
0,010 °C/W
160 °C
-40...+160 °C
-40...+160 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2008-09-15
revision:
3.0
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
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D850N
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D850N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
F
clamping force
Gewicht
G
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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10...24 kN
typ.
285 g
25 mm
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
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