IGBT. DDB6U180N16RR_B37 Datasheet

DDB6U180N16RR_B37 IGBT. Datasheet pdf. Equivalent

Part DDB6U180N16RR_B37
Description IGBT
Feature DDB6U180N16RR_B37 EconoPACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPr.
Manufacture Infineon
Datasheet
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DDB6U180N16RR_B37
DDB6U180N16RR_B37
EconoPACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC
EconoPACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
ElektrischeEigenschaften
• Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften
Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• HoheLeistungsdichte
• IsolierteBodenplatte
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• RoHSkonform
• Standardgehäuse
-
VCES = 1600V
IC nom = 180A / ICRM = 360A
TypicalApplications
• Auxiliaryinverters
• Airconditioning
• Motordrives
• Servodrives
ElectricalFeatures
• Tvjop=150°C
MechanicalFeatures
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Highpowerdensity
• Isolatedbaseplate
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
• RoHScompliant
• Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2017-07-25



DDB6U180N16RR_B37
DDB6U180N16RR_B37
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 100°C
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 100°C
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 150 A
Schleusenspannung
Thresholdvoltage
Tvj = 150°C
Ersatzwiderstand
Sloperesistance
Tvj = 150°C
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VRRM 
1600
V
IFRMSM 
150
A
IRMSM 
IFSM 
I²t 
180
1600
1400
13000
9800
A

A
A

A²s
A²s
min. typ. max.
VF
1,20
V
VTO
0,83
V
rT
2,30
m
IR
1,00
mA
RthJC
0,330 K/W
RthCH
0,137
K/W
Tvj op -40
150 °C
Datasheet
2
V3.0
2017-07-25





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