IGBT. SGT60N60FD1P7 Datasheet

SGT60N60FD1P7 IGBT. Datasheet pdf. Equivalent

SGT60N60FD1P7 Datasheet
Recommendation SGT60N60FD1P7 Datasheet
Part SGT60N60FD1P7
Description IGBT
Feature SGT60N60FD1P7; .
Manufacture Silan Microelectronics
Datasheet
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Silan Microelectronics SGT60N60FD1P7
士兰微电子
SGT60N60FD1PN/P7 说明书
60A600V绝缘栅双极型晶体管
描述
SGT60N60FD1PN/P7 绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop
工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于 UPS,SMPS
以及 PFC 等领域。
特点
60A600VVCE(sat)(典型值)=2.2V@IC=60A
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
C
2
1
G
3
E
12 3
TO-3P
12 3
TO-247-3L
命名规则
IGBT系列
电流规格,60表示60A
N : N Channel
NE : N沟平面栅带ESD
T : N沟槽栅
SGT 60 N 60 □□□ P
电压规格 : 60表示600V
产品规格分类
产品名称
SGT60N60FD1PN
SGT60N60FD1P7
封装形式
TO-3P
TO-247-3L
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
集电极-射极电压
栅极-射极电压
集电极电流
集电极脉冲电流
TC=25°C
TC=100°C
耗散功率(TC=25°C
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VCE
VGE
IC
ICM
PD
TJ
Tstg
打印名称
60N60FD1
60N60FD1
封装形式,PN表示TO-3P封装形式;
P7表示TO-247封装形式
1,2,3: 版本号
D : 封装快恢复二极管的器件
R : 集成续流二极管的器件
L : 低饱和压降器件
S : 标准器件
Q : 快速器件
F : 高速器件
UF : 超高速器件
环保等级
无铅
无铅
包装
料管
料管
参数范围
600
±20
120
60
180
321
-55+150
-55+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
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Silan Microelectronics SGT60N60FD1P7
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SGT60N60FD1PN/P7 说明书
热阻特性
芯片对管壳热阻(IGBT
芯片对管壳热阻(FRD
芯片对环境的热阻
符号
RθJC
RθJC
RθJA
IGBT 电性参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数
集射击穿电压
集射漏电流
栅射漏电流
栅极开启电压
饱和压降
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通损耗
关断损耗
开关损耗
栅电荷
发射极栅电荷
集电极栅电荷
符号
BVCE
ICES
IGES
VGE(th)
VCE(sat)
Cies
Coes
Cres
Td(on)
Tr
Td(off)
Tf
Eon
Eoff
Est
Qg
Qge
Qgc
测试条件
VGE=0V, IC=250μA
VCE=600V, VGE=0V
VGE=20V, VCE=0V
IC=250μA, VCE=VGE
IC=60A,VGE=15V
IC=60A,VGE=15V,TC=125°C
VCE=30V
VGE=0V
f=1MHz
VCE=400V
IC=60A
Rg=10Ω
VGE=15V
感性负载
VCE = 400V, IC=60A, VGE = 15V
FRD 电性参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数
二极管正向压降
二极管反向恢复时间
二极管反向恢复电荷
符号
VFM
Trr
Qrr
测试条件
IF=30A, TC=25°C
IF=30A, TC=125°C
IES=30A, dIES/dt=200A/μs
IES=30A, dIES/dt=200A/μs
参数范围
0.39
1.10
40
最小值
600
--
--
4.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
最小值
--
--
--
--
典型值
--
--
--
5.0
2.2
2.6
2850
294
85
36
142
193
136
3.72
1.77
5.49
179
23
100
典型值
1.9
1.5
38
85
单位
°C/W
°C/W
°C/W
最大值
--
200
±400
6.5
2.7
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
μA
nA
V
V
V
pF
ns
mJ
nC
最大值
2.6
--
--
--
单位
V
ns
nC
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典型特性曲线
1. 典型输出特性
180
VGE=20V
150
120
VGE=15V
VGE=12V
VGE=10V
VGE=8V
90
60
30
0
0
2
4
6
集电极-发射极电压 VCE(V)
180
150
120
90
60
30
0
0
3. 典型饱和电压特性
TC=125°C
TC=25°C
共射极VGE=15V
2
4
6
集电极-发射极电压 VCE(V)
2. 传输特性
100
TC=125°C
TC=25°C
80
60
40
20
共射极VCE=20V
0
0
5
10
15
栅极-发射极电压 VGE(V)
4. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压
20
IC=30A_25°C
16
IC=60A_25°C
IC=120A_25°C
12
8
4
0
4
8
12
16
20
栅极-发射极电压 VGE(V)
5. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压
20
IC=30A_125°C
16
IC=60A_125°C
IC=120A_125°C
12
8
4
0
4
8
12
16
20
栅极-发射极电压 VGE(V)
6. 饱和电压vs.壳温
4
IC=30A
3.5
IC=60A
IC=120A
3
2.5
2
1.5
共射极VGE=15V
1
0 25 50 75 100 125 150
壳温TC(°C)
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