Rectifier Arrays. DAF814A Datasheet

DAF814A Datasheet PDF, Equivalent


Part Number

DAF814A

Description

Fast Switching Rectifier Arrays

Manufacture

Diotec Semiconductor

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DAF814A Datasheet
DAF 811 A/K … DAF 814 A/K (1.2 W)
Fast Switching Rectifier Arrays
Schnelle Gleichrichter Sätze
23±0.2
2.6
8 x 2.54
Ø 0.5
Dimensions / Maße in mm
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
1.2 W
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
100...400 V
9 Pin-Plastic case
9 Pin-Kunststoffgehäuse
23 x 2.6 x 4.5 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
0.6 g
Standard packaging: bulk
see page 22
Standard Lieferform: lose im Karton s. Seite 22
"DA 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anoden
"DA 811 K...8110 K" : com. cathodes / gem. Kathoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAF 811 A/K
DAF 814 A/K
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
100
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
120
480
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
per diode for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
IFAV 600 mA 1)
IFAV 150 mA 1)
TU = 25/C
IFAV 600 mA 1)
IFAV 150 mA 1)
TA = 25/C
IFSM
30 A
1) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
370
28.02.2002

DAF814A Datasheet
DAF 811 A/K … DAF 814 A/K (1.2 W)
Max. power dissipation – Verlustleistung
TA = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Ptot 1.2 W 1)
Tj – 50…+150/C
TS – 50…+150/C
Characteristics
Forward voltage
Durchlaßspannung
Tj = 25/C IF = 1 A
VF
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25/C
Tj =100/C
VR = VRRM
VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IR
IR
trr
RthA
Kennwerte
< 1.3 V
< 10 :A
< 90 :A
< 350 ns
< 85 K/W 1)
1) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
28.02.2002
371


Features Datasheet pdf DAF 811 A/K … DAF 814 A/K (1.2 W) Fast Switching Rectifier Arrays Schnelle Gl eichrichter Sätze Nominal power dissip ation Nenn-Verlustleistung 23±0.2 4.5 2.6 1.2 W 100...400 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzenspe rrspannung 9 Pin-Plastic case 9 Pin-Kun ststoffgehäuse Weight approx. – Gewi cht ca. Standard packaging: bulk Standa rd Lieferform: lose im Karton 4.5 Ø 0.5 8 x 2.54 23 x 2.6 x 4.5 [mm] 0.6 g see page 22 s. Seite 22 Dimensions / Maße in mm "DA 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anoden "DA 811 K...8110 K" : com. cathodes / gem. Kathoden Max imum ratings Type Typ DAF 811 A/K DAF 8 14 A/K Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [ V] 100 400 TA = 25/C Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrs pannung VRSM [V] 120 480 Max. average forward rectified current, R-load, for one diode operation only per diode for simultaneous operation Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last, für eine einzelne Diode pro Diode bei glei.
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