Thyristor Module. TT251N Datasheet


TT251N Module. Datasheet pdf. Equivalent


TT251N


Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
N
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module

Datenblatt / Data sheet
TT251N
TT251N TD251N

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Ke nndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
www.DataSheet4U.com

Elektrische Eigenschaften

VDRM,VRRM 1200 1600 VDSM VRSM ITRMSM 1200 1600 1300 1700

1400 V 1800 V 1400 V 1800 V 1500 V 1900 V 410 A 250 A 261 A 9100 A 8000 A 414000 A²s 320000 A²s 250 A/µs

Tvj = -40°C... Tvj max Tvj = +25°C... Tvj max

TC = 85°C TC = 82°C Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 747-6 f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe /...



TT251N
N Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT251N
TT251N
TD251N
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Ke nndaten
Elektrische EigenschaftenElektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
1200
1600
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
VRSM
1200
1600
1300
1700
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
ITRMSM
TC = 85°C
TC = 82°C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
ITAVM
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
1400 V
1800 V
1400 V
1800 V
1500 V
1900 V
410 A
250 A
261 A
9100 A
8000 A
414000 A²s
320000 A²s
250 A/µs
1000 V/µs
www.DataSheet4U.com
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max , iT = 800 A
vT
Tvj = Tvj max
V(TO)
Tvj = Tvj max
rT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
VGT
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
VGD
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
IH
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
IL
iD, iR
tgd
max. 1,4 V
0,8 V
0,7 m
max. 200 mA
max.
2V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,2 V
max. 300 mA
max. 1200 mA
max. 50 mA
max.
3 µs
prepared by: C.Drilling
approved by: J. Novotny
BIP AC / Warstein,den 26.09.85 Tscharn
date of publication: 23.09.02
revision:
1
A10 /85
Seite/page 1/12

TT251N
N Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
TT251N
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
tq
VISOL
Thermische EigenschaftenThermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische EigenschaftenMechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
M1
M2
G
typ. 250 µs
3,0 kV
3,6 kV
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,065 °C/W
0,130 °C/W
0,062 °C/W
0,124 °C/W
0,02 °C/W
0,04 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Seite 3
page 3
AlN
5 Nm
12 Nm
A 2,8 x 0,8
typ. 800 g
17 mm
50 m/s²
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / Warstein,den 26.09.85 Tscharn
A10 /85
Seite/page 2/12




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)