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VDMOS Transistor. CS2N60F Datasheet

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VDMOS Transistor. CS2N60F Datasheet






CS2N60F Transistor. Datasheet pdf. Equivalent




CS2N60F Transistor. Datasheet pdf. Equivalent





Part

CS2N60F

Description

VDMOS Transistor



Feature


CS2N60(F) CS2N60(F) VDMOS 1. CS2N60( F) N 600V VDMOS ,、 。 : ● ● ● : CS2N60 CS2N60F TO-2 20 TO-220F VDSS 600V RDS(ON)MAX 4.6Ω ID 2.1A 2. 2.1 (,TC=25℃) () () () () 2.2 (,TC =25℃) 2.2.1 CS4N60 600 2. 1 8.4 ±30 84 2.3 62.5 54 150 CS4N60F V A V mJ VDSS ID IDM VGS EAS RθJC R θJA PD TJ TSTG 5.5 62.5 23 -55~150 ℃/W W ℃ BVDSS ∆BVDSS/∆TJ.
Manufacture

ETC

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ETC CS2N60F

CS2N60F; IDSS IGSS VGS=0V, ID=250µA ID = 2 50µA VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25℃ V DS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125℃ VGS = ±30V 600 0.7 25 250 ±100 V V /℃ µA nA Free Datasheet http://www. datasheet4u.com/ CS2N60(F) 2.2.2 RDS(ON) VGS(TH) gfs VGS=1 0V,ID=1.3A VDS = VGS, ID = 250µA VDS=1 5V, ID = 1.3A 4.6 2.0 1.4 4.0 Ω V S tp≤380µs,δ≤2% 2.2.3 .


ETC CS2N60F

Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd VGS = 0V VDS = 25V f = 1.0MHz 330 46 9.0 12.5 2.2 6.0 pF ID =2 .1A VDD =300V nC 2.2.4 () ) td(ON) trise td(OFF) tfall ID =2.1A VDD = 300V VGS = 10V RG = 1 8Ω 13 13 34 26 ns 2.2.5 ISM VSD 8.4 1.5 A V IS=2.1A,VGS=0V 2 5 Free Dat asheet http://www.datasheet4.


ETC CS2N60F

u.com/ CS2N60(F) 3. : ( CS 2N60 ) PD-TC(CS2N60 ) ID-TC RDS(ON)-VGS RDS(ON)-ID RDS(ON)-TJ VG S(TH)-TJ C-VDS ( CS2N60 ) PD(W ) ID(A) VDS(V) ID-TC ID(A) TC(℃) ID( A) PD-TC TC(℃) VDS(V) 3 5 Free Datasheet http://www.datasheet4u. com/ CS2N60(F) ZθJC tp(s) IDM( A) tp(s) RDS(ON)( Ω) ID(A) VGS(V) RDS(ON)-VGS VGS(V) 4 5 Free Datashe.

Part

CS2N60F

Description

VDMOS Transistor



Feature


CS2N60(F) CS2N60(F) VDMOS 1. CS2N60( F) N 600V VDMOS ,、 。 : ● ● ● : CS2N60 CS2N60F TO-2 20 TO-220F VDSS 600V RDS(ON)MAX 4.6Ω ID 2.1A 2. 2.1 (,TC=25℃) () () () () 2.2 (,TC =25℃) 2.2.1 CS4N60 600 2. 1 8.4 ±30 84 2.3 62.5 54 150 CS4N60F V A V mJ VDSS ID IDM VGS EAS RθJC R θJA PD TJ TSTG 5.5 62.5 23 -55~150 ℃/W W ℃ BVDSS ∆BVDSS/∆TJ.
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 CS2N60F
华晶分立器件
CS2N60(F)
CS2N60(F)VDMOS 晶体管
1.概述与特点
CS2N60(F)N 沟道 600V 系列 VDMOS 晶体管,主要用于电源适配器、充电器等各种功率开
关电路。
具有如下特点:
开关速度快
通态电阻小
可并联使用
驱动简单
封装形式:
产品名称
CS2N60
CS2N60F
封装形式
TO-220
TO-220F
VDSS
600V
RDS(ON)MAX
4.6
ID
2.1A
2.电特性
2.1 极限值(除非另有规定,TC=25℃)
参数名称
符号
CS4N60
CS4N60F
单位
漏源反向电压
VDSS
600
V
漏极电流(连续)
漏极电流(脉冲)
ID 2.1
IDM 8.4
A
栅源反向电压
VGS ±30
V
单脉冲能量
EAS 84 mJ
热阻(结到壳)
热阻(结到环境)
RθJC
RθJA
2.3 5.5
62.5 62.5
℃/W
耗散功率
PD 54 23 W
最高结温
贮存温度
TJ
TSTG
150
-55150
2.2 电参数(除非另有规定,TC=25℃)
2.2.1 截止特性
参数名称
符号
测试条件
规范值
最小 典型 最大
单位
漏源反向电压
反向电压的温度系数
漏源截止电流
栅源截止电流
BVDSS
BVDSS/TJ
IDSS
IGSS
VGS=0V, ID=250µA
ID = 250µA
VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25
VDS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125
VGS = ±30V
600
V
0.7 V/
25
250 µA
±100 nA
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 CS2N60F
华晶分立器件
CS2N60(F)
2.2.2 开启特性
参数名称
符号
通态电阻
RDS(ON)
阈值电压
VGS(TH)
跨导
gfs
脉冲测试 tp380µs,δ≤2%
测试条件
VGS=10V,ID=1.3A
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS=15V, ID = 1.3A
规范值
最小 典型 最大
4.6
单位
2.0 4.0 V
1.4 S
2.2.3 动态特性
参数名称
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
栅源电荷
栅漏电荷
2.2.4 开关特性
参数名称
延迟时间(开启)
上升时间
延迟时间(关断)
下降时间
2.2.5 源漏二极管特性
参数名称
源漏二极管脉冲电流
源漏二极管正向压降
测试条件
Ciss
Coss
VGS = 0V VDS = 25V
f = 1.0MHz
Crss
Qg
Qgs ID =2.1A VDD =300V
Qgd
规范值
最小 典型 最大
330
46
9.0
12.5
2.2
6.0
单位
pF
nC
测试条件
规范值
单位
最小 典型 最大
td(ON)
trise
td(OFF)
tfall
ID =2.1A
VDD = 300V
VGS = 10V
RG = 18
13
13
ns
34
26
测试条件
ISM
VSD IS=2.1A,VGS=0V
规范值
最小 典型 最大
8.4
1.5
单位
A
V
2页共5
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 CS2N60F
华晶分立器件
3.特性曲线
曲线列表:
图一 安全工作区曲线(以 CS2N60 为例) 图七
图二
图三
图四
PD-TC曲线(以CS2N60 为例)
ID-TC曲线
典型输出特性曲线
图八
图九
图十
图五 结到管壳热阻曲线(以 CS2N60 为例) 图十一
图六 最大峰值电流
图十二
典型传输特性曲线
RDS(ON)-VGS曲线
RDS(ON)-ID曲线
RDS(ON)-TJ曲线
VGS(TH)-TJ曲线
C-VDS曲线
CS2N60(F)
图一 安全工作区曲线
图二 PD-TC关系曲线
图三 ID-TC关系曲线
VDS(V)
TC()
图四 典型输出特性曲线
TC()
VDS(V)
3页共5
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