DatasheetsPDF.com

GT10G101

Toshiba

Silicon N-Channel MOSFET

Description
GT10G101 トランジスタ シリコンチャネル IGBT GT10G101 ○ ストロボ いがなエンハンスメントタイプです。 がい。 ゲートがい。 : VCE (sat) = 8V () (IC = 130A) : VGE = 20V () (IC = 130A) : mm (Ta = 25°C) コレクタ・エミッタ ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ コ レ ク タ DC 1ms コ レ ク タ け Ta = 25°C Tc = 25°C ト ル ク VCES VGES IC ICP PC PC Tj Tstg ― 400 ±25 10 A 130 2.0 W 30 150 －55～150 0.6 °C °C N・m V V JEDEC EIAJ ― ― 2...


Toshiba

GT10G101

File Download Download GT10G101 Datasheet

Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)