Transistor. KT3109A Datasheet

KT3109A Transistor. Datasheet pdf. Equivalent

KT3109A Datasheet
Recommendation KT3109A Datasheet
Part KT3109A
Description Transistor
Feature KT3109A; AS “АLFA RPAR” Рижский завод полупроводниковых приборов Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; alfa@alfarzpp..
Manufacture ETC
Datasheet
Download KT3109A Datasheet




ETC KT3109A
AS “АLFA RPAR
Рижский завод полупроводниковых приборов
Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; alfa@alfarzpp.lv
КТ3109А, Б, В
КТ3109А1, Б1, В1
КТ3109А, 2Т3109Б, 2Т3109В, 2Т3109А1, 2Т3109Б1, 2Т3109В1
Высокочастотные малошумящие биполярные р-п-р транзисторы малой мощности
Типовое значение граничной частоты передачи тока fТ =1400 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 170 мВт
Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax=25 В
Типовое значение коэффициента шума на частоте 800 МГц КШ=7 дБ
Тип изделия
КT3109A, Б, В
КТ3109А1, Б1, В1
Номер ТУ
аА0.336.220ТУ
аА0.336.220 ТУ
Тип корпуса
КТ-29 (ТО-50)
КТ-26 (ТО-92)
Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р высокочастотные усилительные с нормированным
коэффициентом шума на частоте 800 МГц транзисторы КT3109 предназначены для применения в
видеоусилителях, малошумящих усилителях и различной приемо – усилительной аппаратуре.
Маркировка транзисторов в соответствии с техническими условиями аА0.336.220 ТУ: цифро-
буквенная маркировка с указанием типономинала без индекса «КТ» - на корпус наносится последняя
цифра обозначения транзистора и группа (например: КТ3109А1 - 9А1), год и месяц изготовления
транзисторов или допускается маркировка цветовым кодом (точкой): КТ3109А, А1 – розовая точка,
КТ3109Б, Б1 – желтая точка, КТ3109В, В1 – синяя точка. Допускается группу КТ3109А, А1 не
маркировать. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм.
Схема расположения выводов
КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В
КТ3109А1, КТ3109Б1, КТ3109В1
КТ-29
КТ-29
КТ-26
1-Эмиттер
2-База
3-Коллектор
Основные электрические параметры при температуре: 0°C ÷ + 70°С
Наименование параметра,
единица измерения
Обратный ток коллектора
(UКБ=20В), мкА
Буквен- КТ3109А,
ное КТ3109А1
обозна- не
не
чение менее более
IКБО 0,1
Обратный ток эмиттера
(UЭБ = 2 В), мкА
Статический коэффициент
передачи тока (UКБ=10 В,IЭ=10мА)
IЭБО
h21Э
20
10
Постоянная времени цепи обрат-
ной связи на высокой частоте
(UКБ=10 В, IЭ=10мА, f=100МГц), пс
Граничная частота коэффициента
передачи тока
(UКБ=10 В, IЭ=10 мА, f=100-300МГц)
τK
fГР
1100
6
Коэффициент шума
(RUГК=Б=7510OмВ,),IЭд=Б10 мА, f =800 МГц,
КШ
6
Коэффициент усиления по
мощности (UКБ= 10 В, IЭ= 10 мА,
f =800 МГц, RН= 2 кOм), дБ
КУР 15
Коэффициент обратного усиления
по мощности (UКБ= 10 В, IЭ= 10 мА,
f =800 МГц), дБ
КУР обр.
-7
Емкость коллекторного перехода
(UКБ=10 В, f=5-30МГц), пФ
СК
1
КТ3109Б,
КТ3109Б1
не не
менее более
0,1
10
20
10
1100
7
13
-3
1
КТ3109В,
КТ3109В1
не не
менее более
0,1
10
15
10
1100
8
13
1
1
2014 v1
1



ETC KT3109A
AS “АLFA RPAR
Рижский завод полупроводниковых приборов
Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; alfa@alfarzpp.lv
КТ3109А, Б, В
КТ3109А1, Б1, В1
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Наименование параметра,
единица измерения
Максимально – допустимое постоянное
напряжение коллектор-база, В
Буквенное КТ3109А КТ3109Б КТ3109В
обозначе-
ние
КТ3109А1 КТ3109Б1 КТ3109В1
UКБmax
30
25
25
Максимально – допустимое постоянное
напряжение коллектор-эмиттер при
RЭБ≤10кОм, В
Максимально – допустимое постоянное
напряжение эмиттер-база, В
UКЭmax
UЭБmax
25
3
20
3
20
5
Максимально – допустимый постоянный ток
коллектора, мА
IКmax
50
50
50
Постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, мВт
при Т до +40оС
при Т=+85оС
Р1)Кmax
170
100
Максимально допустимая температура p-n
перехода, оС
ТП
150
Общее тепловое сопротивление, оС/Вт
RТ п-с
650
Примечание:
1)При температуре выше +40 оС РКmax рассчитывается по формуле:
/РКmax = (150 – Токр.ср.) RТ ,п-с Вт
170
100
150
650
170
100
150
650
Основные типовые зависимости параметров транзисторов
Iк,А
16
IБ=18мА
IБ=14мА
IБ=10мА
12 IБ=6мА
8 IБ=4мА
4 IБ=2мА
IБ=0,5мА
0 6 12 UKЭ,B
Входные характеристики
h21Э
160
140
UKБ=10 B
IК=10 мА
120
100
0
-45 0 45 90 T,oC
Зависимость статического
коэффициента передачи тока
от температуры
IБ,мА
0,4
0,3
0,2
0,1
UКЭ=0B
10В
0 0,4 0,6 UЭБ,B
Входные характеристики
h21Э
80
60
40
UКБ= 10 B
f=100МГц
20
0
0
6
12 18 IК,мА
Зависимость статического
коэффициента передачи тока от
постоянного тока коллектора
h21Э
140
120
100
80
IЭ =10 мА
04
8 UKБ,B
Зависимость статического
коэффициента передачи тока
от постоянного напряжения на
коллекторе
h21Э
80
60 UКБ = 10B
40
20
0 15 30 IЭ,А
Зависимость статического
коэффициента передачи тока от
постоянного тока эмиттера
2014 v1
2



ETC KT3109A
AS “АLFA RPAR
Рижский завод полупроводниковых приборов
Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; alfa@alfarzpp.lv
КТ3109А, Б, В
КТ3109А1, Б1, В1
Кш, дБ
7 Iэ=10мА
f=100МГц
6 Rг=75 Ом
5
4
СK,ПФ
4
3
2
1
Kш,дБ
12
9 IЭ=10 мА
6
f=180МГц
UКБ=10 В
3
3
0 5 10 UКБ
Зависимость коэффициента
шума от напряжения на
коллекторе
03
6 UKБ,B
Зависимость емкости
коллекторного перехода от
напряжения коллектор-база
0 0,3 0,6 RГ,кОм
Зависимость коэффициента
шума от сопротивления
генератора
Габаритные чертежи используемых корпусов
Корпус КТ-29
Корпус КТ-26
Примечание:
Допускается отсутствие выступов и скосов на
выводах.
Примечание:
Допускается отсутствие выступов на выводах.
Позиционный допуск на расстоянии 2,0 мм max.
2014 v1
3







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)