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TK55A10J1

Toshiba Semiconductor

N-Channel MOSFET

Description
TK55A10J1 トランジスタ シリコンNチャネルMOS (U-MOSⅢ) TK55A10J1 スイッチングレギュレーター : mm z ゲートがさい。 : Qg=110nC () z オンがい。 :RDS (ON) = 8.4 mΩ () z アドミタンスがい。 : |Yfs| = 110 S () z れがい。 : IDSS = 10 μA () (VDS = 100 V) z りいがなエンハンスメントタイプです。 : Vth = 1.1～2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) (Ta = 25°C) /パッケージ ドレイン・ソース ドレイン・ゲート (RGS=20kΩ) ゲート・ソース DC ( 1) ドレイン パルス ( 1) (...


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