DatasheetsPDF.com

RJP56F4

AG Electronica
Part Number RJP56F4
Manufacturer AG Electronica
Description IGBT
Published Aug 22, 2015
Detailed Description IGBT 430V/200A Número de parte: RJP56F4 Descripción: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), es un dispositivo semi...
Datasheet PDF File RJP56F4 PDF File

RJP56F4
RJP56F4

Overview
IGBT 430V/200A Número de parte: RJP56F4 Descripción: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 KHz (en algunos casos menores de 100KHz).
Su conmutación es de alta velocidad.
Encapsulado: TO 220FN.
Energía de disipación: De 3W y máxima disipación de 30W.
Voltaje de la fuente: 4.
75V a 5.
25V.
Voltaje de colector-emisor: 430V.
Corriente de colector: 200A.
Voltaje de compuerta- emisor: ±33V.
Temperatura de funcionamiento: -50°C a 150°C.
Dimensiones: Ejemplo de aplicación: En este ejemplo ha...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)