NPN TRANSISTOR. KT863 Datasheet

KT863 TRANSISTOR. Datasheet pdf. Equivalent

KT863 Datasheet
Recommendation KT863 Datasheet
Part KT863
Description Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR
Feature KT863; НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КТ863/БС(x.
Manufacture SIT
Datasheet
Download KT863 Datasheet




SIT KT863
НТЦ СИТ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ
И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.
РОССИЯ, БРЯНСК
КТ863/БС(x)
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ
N-P-N ТРАНЗИСТОР
ОСОБЕННОСТИ_________
Малая зависимость коэффициента
усиления h21э от температуры
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора до 12 А,
импульсный до 15 А.
Максимально допустимое
напряжения коллектор-эмиттер до 160
В (при Rэб=1кОм)
Температура окружающей среды -
минус 60°С ... плюс 130°С
Корпус ТО-220, ТО-263
Корпус ТО-220 (КТ-28)
Типономинал КТ863/БС
Корпус ТО-263
Типономинал КТ863/БС1
1 – База
2 – Коллектор
3 – Эмиттер
________________ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Наименование
параметра,
единица измерения
Обратный ток коллектор-
эмиттер, мА
Буквенное
Норма
обозн.
Не Не
менее более
IкэR - 0.1
Режим
Uкэ = 160 В
Rэб =1 кОм
Температура,
°С
+25
Обратный ток эмиттер-
база, мА
Напряжение насыщения
коллектор эмиттер, В
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В
Коэффициент усиления
Iэбо
Uкэнас
-
-
Uбэнас
h21э
-
200
0.1 Uкэ = 80 В
0.1 Uэб = 5В
+25
0.55 Iк = 5А, Iб=0.04А -60…+130
0.4 Iк = 0.27А, Iб=2 мА
0.9 Iк = 0 А, Iб=0.15 А
+25
Iк = 5 А
-60…+130



SIT KT863
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х)
___ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ
ПРИ Т= -60°С...+130°С
Наименование параметра, единица измерения,
(режим измерения)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
(Rэб=0), В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
(Rэб=1кОм), В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В
Максимальное постоянное напряжение эмиттер-
база, В
Максимальный постоянный ток коллектора, А
Максимальный импульсный ток коллектора, А
Максимальная температура перехода, °С
Буквенное
обозначение
Uкэк max
UкэR max
Uкэ0 max
Uэб max
Iк max
Iки max
Tп max
Норма
160
160
80
5
12
15
150
Примечание
1
1,2
Примечания: 1 При условии непревышения максимально - допустимой температуры перехода.
2 При длительности импульса не более 5 мс и скважности не менее 10.
ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ ________________________
Корпус ТО-220 (KT-28-2)
Миллиметры
Мин. Мак.
A 15.20 15.90
B 10.25 10.65
C 4.30 4.80
D 0.60 1.15
F 3.60 3.72
G 2.30 2.70
H-
6.30
J 0.55 1.10
K 12.70 14.20
L 1.15 1.70
Q 2.60 3.00
R 2.10 2.80
S 1.10 1.37
T 5.90 6.80
февраль 15 г.
2
НТЦ СИТ



SIT KT863
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х)
Корпус ТО-263
Миллиметры
Мин. Мак.
A 8.64 9.65
B 9.65 10.29
C 4.06 4.83
D 0.51 0.99
E 1.14 1.40
F 1.14 1.40
J 0.46 0.74
K 14.61 15.88
L 2.54
M 0°
8°
N 2.03 2.79
S 1.27 1.78
U 2.29 2.79
V 1.02 1.40
Y 6.86 8.13
Z 7.11 8.13
февраль 15 г.
3
НТЦ СИТ







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)