Rectifier Diodes. MUR140 Datasheet

MUR140 Diodes. Datasheet pdf. Equivalent

Part MUR140
Description Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes
Feature MUR120 ... MUR160 MUR120 ... MUR160 Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes – Ultraschnelle S.
Manufacture Diotec
Datasheet
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MUR140
MUR120 ... MUR160
MUR120 ... MUR160
Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes – Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2014-07-29
Nominal current
Nennstrom
1A
Ø 2.6±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
200...600 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~DO-41
~DO-204AC
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Ø 0.77±0.07
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
MUR120
MUR140
MUR160
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
200
400
600
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
200
400
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
Tj
TS
1 A 1)
6 A 1)
32/35 A
5 A2s
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1



MUR140
MUR120 ... MUR160
Characteristics
Type
Typ
MUR120
MUR140 ... MUR160
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
< 25
< 50
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 2)
< 35
< 75
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
at / bei IF = [A]
< 0.875
1
< 1.25
1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
VR = VRRM
VR = VRRM
IR < 5 µA
IR < 50 µA
RthA < 45 K/W 3)
RthL < 15 K/W
120
[%]
100
80
60
40
20
IFAV
0
0 TA 50 100 150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
10
[A] MUR120
1
MUR140...160
0.1
10-2
IF
10-3
Tj = 25°C
VF [V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG





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