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EMBJ0N25CS

Excelliance MOS
Part Number EMBJ0N25CS
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  250V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMBJ0N25CS PDF File

EMBJ0N25CS
EMBJ0N25CS

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  250V  D RDSON (MAX.
)  1Ω  ID  4.
4A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 3mH, ID=1A, RG=25Ω  L = 1mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj,...


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