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EMBJ0N20Q

Excelliance MOS
Part Number EMBJ0N20Q
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  200V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMBJ0N20Q PDF File

EMBJ0N20Q
EMBJ0N20Q

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  200V  D RDSON (MAX.
)  1Ω  ID  1.
1A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％                  2012/8/15  EMBJ0N20Q LIMITS  ±20  1.
1  0.
7  4.
4  6.
25  2.
5  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C...


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