DatasheetsPDF.com

EMB14P03G

Excelliance MOS
Part Number EMB14P03G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB14P03G PDF File

EMB14P03G
EMB14P03G

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.
)  14mΩ  ID  ‐12A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB14P03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=‐20A, RG=25Ω Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  PD  Tj, Tstg  ±25  ‐12  ‐9  ‐48  ‐20  20  2.
5  1  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  ...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)